抗輻照加固圖像處理芯片系列產品，采用自主可控架構，突破傳統FPGA方案限制，兼容多型號衛星圖像傳感器。全芯片可靈活配置，極大降低電子學成本并顯著縮短系統開發周期。抗輻照能力大于1MradSi ，可滿足各類航空航天及商業商業航天等特殊場景需求。
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采用感存算一體架構，基于國產光電工藝的低噪聲、高量子效率像素設計、針對不同場景自適應讀出與編碼方式、高能效事件流目標識別算法，適配航天遙感和態勢感知應用的可見和紅外仿生視覺傳感器芯片。
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基于RISC-V架構實現全國產化設計及生產。支持LVDS/MIPI數據格式視頻輸入、圖像處理、圖像融合、圖像拼接以及LVDS/MIPI數據格式輸出。支持四路傳感器并行輸入，兼容可見光、紅外及融合成像模式。支持單路及多路傳感器同時工作。
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紅外數字化讀出電路分辨率涵蓋320x256、640x512、1280x1024、2048x2048，像元尺寸范圍涵蓋10μm至30μm，ADC量化精度14bit至22bit等各類芯片產品，基于國產工藝的精確低溫仿真模型，能夠滿足制冷型和非制冷型紅外探測器互連集成，紅外讀出電路產品具有高良率，低成本，高性能的競爭優勢。
探索更多系統由FPGA芯片與相關接口電路組成，該產品基于宇勘科技自研的圖像處理算法，能夠實現高質量的紅外成像、顯示輸出功能，支持LINUX和RTOS操作系統，可實現與不同設備的連接和數據交互，同時其極低成本設計和快速部署的特點，使該系統適用于多種應用場景。
探索更多抗輻照加固電源芯片線覆蓋運算放大器、低壓降穩壓器（LDO）、GaN驅動電路等核心器件，針對高輻射、高溫及振動等極端環境進行深度優化。全系產品采用抗輻照加固設計，具有≥1MRadSi總劑量耐受能力，抗SEU≥37MeVcm2/mg，抗SEL ≥ 75MeVcm2/mg；可與ISP芯片協同，形成“供電-成像-處理”全鏈路解決方案，顯著縮短衛星載荷開發周期。
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