抗輻照加固電源芯片線覆蓋運算放大器、低壓降穩壓器（LDO）、GaN驅動電路等核心器件，針對高輻射、高溫及振動等極端環境進行深度優化。全系產品采用抗輻照加固設計，具有≥1MRadSi總劑量耐受能力，抗SEU≥37MeVcm2/mg，抗SEL ≥ 75MeVcm2/mg；可與ISP芯片協同，形成“供電-成像-處理”全鏈路解決方案，顯著縮短衛星載荷開發周期。